特許
J-GLOBAL ID:200903097889081340
電子素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
落合 健 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-170637
公開番号(公開出願番号):特開2001-006523
出願日: 1999年06月17日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 冷陰極素子として用いた場合,低い印加電圧によっても十分に電子を放出することが可能である等高い実用性を持つ電子素子を提供する。【解決手段】 電子素子3は,非晶質炭素膜よりなり,且つ金属結合半径が炭素の原子半径の2倍以上である金属元素mを含有する主体部3aと,その主体部3aを被覆し,且つsp3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層3bとを有する。
請求項(抜粋):
非晶質炭素膜よりなり,且つ金属結合半径が炭素の原子半径の2倍以上である金属元素(m)を含有する主体部(3a)と,その主体部(3a)を被覆し,且つsp3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層(3b)とを有することを特徴とする電子素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01J 1/30 F
, C23C 14/06 F
Fターム (5件):
4K029BA02
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BD00
引用特許:
引用文献:
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