特許

J-GLOBAL ID：200903097907228869

SOI基板の製造方法

発明者： 高松 勝 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353179
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186187
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、酸化膜と半導体基板との界面の引張り結合強度を増大させる。【解決手段】 第1半導体基板11の表面に酸化膜12を形成する。酸化膜12上に窒化膜13を形成する。第1半導体基板の表面から水素イオンを注入して第1半導体基板内部にイオン注入領域11aを形成する。窒化膜13を第1半導体基板から除去する。第1半導体基板を酸化膜12を介して第2半導体基板14に重ね合わせて密着させる。第1半導体基板を第2半導体基板に密着させたまま熱処理して第1半導体基板をイオン注入した領域11aで第2半導体基板から分離して第2半導体基板の表面に半導体層11bを形成する。表面に半導体層11bを有する第2半導体基板を更に熱処理する。

請求項（抜粋）：

第1半導体基板(11)の表面に酸化膜(12)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)の酸化膜(12)上に窒化膜(13)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1半導体基板(11)内部にイオン注入領域(11a)を形成する工程と、前記窒化膜(13)を前記第1半導体基板(11)から除去する工程と、前記第1半導体基板(11)を前記酸化膜(12)を介して第2半導体基板(14)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1半導体基板(11)を第2半導体基板(14)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入した領域(11a)で前記第2半導体基板(14)から分離して前記第2半導体基板(14)の表面に半導体層(11b)を形成する工程と、表面に半導体層(11b)を有する前記第2半導体基板(14)を更に熱処理する工程とをこの順に含むSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260592   出願人：株式会社デンソー
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277613   出願人：株式会社デンソー