半導体基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277613
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121310
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】製造効率の向上及びこれに伴う製造コストの低減の実現。【解決手段】 (a)単結晶シリコンウェハ11の表裏両面を平坦化(鏡面化)する準備工程、(b)単結晶シリコンウェハ11の表面全体に汚染保護膜12を形成する保護膜形成工程、(c)単結晶シリコンウェハ11の一方の面と平行な分布状態の第1イオン注入層13を形成する第1のイオン注入工程、(d)単結晶シリコンウェハ11の他方の面と平行な分布状態の第2イオン注入層14を形成する第2のイオン注入工程、(e)汚染保護膜12を除去する保護膜除去工程、(f)2枚のベース基板15及び16の表面全体に絶縁膜15a及び16aを形成する絶縁膜形成工程、(g)単結晶シリコンウェハ11の表裏両面にベース基板15及び16をそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程を行った後に、熱処理により単結晶シリコンウェハ11を各イオン注入層13及び14部分で剥離する剥離工程を行う。

請求項（抜粋）：

ベース基板(15、16)上に当該ベース基板(15、16)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(11a、11b)を設けて成る半導体基板(17、18)の製造方法において、半導体基板材料(11)における一方の面の所定深さ位置にイオン注入して第1イオン注入層(13)を形成する第1のイオン注入工程、前記半導体基板材料(11)の他方の面の所定深さ位置にイオン注入して第2イオン注入層(14、14′)を形成する第2のイオン注入工程、2枚用意したベース基板(15、16)を前記半導体基板材料(11)の表裏両面にそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程、前記半導体基板材料(11)及び2枚のベース基板(15、16)の一体物に対し熱処理を施すことにより、前記半導体基板材料(11)を前記第1イオン注入層(14)及び第2イオン注入層(14、14′)により形成される欠陥層部分で剥離して前記半導体層(11a、11b)を形成する剥離工程、を実行することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041709 出願人：キヤノン株式会社
半導体部材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-311975 出願人：キヤノン株式会社
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-045441 出願人：キヤノン株式会社

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