特許
J-GLOBAL ID：200903097918151787
均一なガス流パターンのための排気バッフル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180171
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064489
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 処理チャンバ内の基板上での処理ガス流パターンの均一化。【構成】 アーチ形の排気プレナム23は2つの端部を有し、その間の間隙には排気プレナムからでは直接接近できない。処理チャンバ20内の処理ガス流の分布を改善する排気バッフル60aは、複数の穴76,77,78が貫設されており、周方向に分布されている。これらの穴は排気プレナムと連通し、基板処理中に基板表面を横切る均一なガス流を形成する。また、排気バッフルには少なくとも1つのオフセット流路81,82があり、この流路は、前記間隙から、基板表面に対して鋭角で処理ガスを基板表面を横切って吸引し、それにより、基板全周の処理ガス流に影響を与える排気パターンを提供するようになっている。排気バッフルは互いに接合する2つの部分71,72から成る複合型としてもよく、これらの部分は処理チャンバからの処理ガスを前記間隙から導く少なくとも1つのオフセット流路及び複数の穴を画成する。
請求項（抜粋）：
半導体処理チャンバ内の半導体基板の表面全域における処理ガス分布を制御するための装置であって、処理チャンバ真空系に接続されている排気プレナムと、前記排気プレナム上に配置されており、且つ、前記処理チャンバから前記処理ガスが通過して排出されるようになっているアーチ形の排気プレナムであって、前記排気プレナムからは直接接近することができない間隙を間に画成する2つの端部を有している前記排気プレナムと、前記排気プレナム上に配置されており、且つ、前記処理チャンバから前記処理ガスが通過して前記排気プレナムに直接吸引されるようになっている少なくとも1組の穴が形成されているバッフルと、を具備し、前記バッフルは、前記間隙から前記処理ガスを吸引するよう前記排気プレナムと連通し且つ前記排気プレナムからオフセットされた位置に配置された少なくとも1つの流路を備えており、前記穴及び前記流路は下側の前記排気プレナムと連通し、基板処理中において前記基板表面を横切るガス流の均一性を向上させるようになっている、処理ガス分布制御装置。
引用特許：
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