特許

J-GLOBAL ID：200903097930499918

ポリ(アルキニルチオフェン)類およびそれから作製された電子デバイス

発明者： ベン エス オン ,  ユニン リ ,  イーリャン ウー
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-098066
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281475
出願日： 2007年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。【解決手段】式(I)の半導体材料を含む電子デバイスである。 (I)(式中、Rは炭化水素またはヘテロ原子含有基であり、nは反復単位の数を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(I)の半導体材料を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (8件)：

H01L 51/30 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  C08G 61/12

FI (7件)：

H01L29/28 250G ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  C08G61/12

Fターム (50件)：

4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG20 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• モノマー、オリゴマーおよびポリ(3-アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-322784   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234113   出願人：シャープ株式会社
• ポリ(3-アルキルチオフェン)及び該重合体からなる導電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-098294   出願人：新技術事業団

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Soluble and processable regioregular poly(3-hexylthiophene) for thin filmfield-effect transistor app