特許

J-GLOBAL ID：200903097947081879

チャージアップ現象を利用した下層構造の推定法

発明者： 藤井 利昭 ,  杉山 安彦
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115492
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306965
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】本発明は、表面画像を得る外観検査からでは発見することができない半導体素子の内部配線状態などの内部構造の推定を、異種画像の準備等に厄介な手間をかけずに簡便に実施できる方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の方法は、表面が絶縁材料で形成された試料の基板や配線端子をアースした状態で、前記試料表面に荷電粒子のビームを照射することにより所定量の電荷を注入して該試料表面に各照射部位とアース間のキャパシタンスの差に基づく電位差分布を発生させ、該電位差分布を検出して観察画像とし、表面下の配線等導電材の存在の有無と位置といった下層構造を推定するものである。

請求項（抜粋）：

表面が絶縁材料で形成された試料の基板や配線端子をアースした状態で、前記試料表面に荷電粒子のビームを照射することにより所定量の電荷を注入して該試料表面に各部位とアース間のキャパシタンスの差に基づく電位差分布を発生させ、該電位差分布を検出して下層構造を推定する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/28

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  H01J 37/28 B ,  G01R 31/28 L

Fターム (28件)：

2G032AA00 ,  2G032AD01 ,  2G032AD03 ,  2G032AD08 ,  2G032AE09 ,  2G032AE11 ,  2G032AF08 ,  2G032AK04 ,  2G032AL00 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CA08 ,  4M106CA40 ,  4M106DB05 ,  4M106DH01 ,  4M106DH07 ,  4M106DH11 ,  4M106DH24 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ23 ,  5C033NN01 ,  5C033NN05 ,  5C033NP04 ,  5C033UU01 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-013467
  
• 微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306193   出願人：沖電気工業株式会社