半導体微粒子ペースト

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-029158
公開番号（公開出願番号）：特開2005-222799
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】色素増感型太陽電池の負極における半導体多孔質層形成材料として使用され、100°C未満の低温での焼成で多孔質層を形成することが可能な半導体微粒子ペーストを提供する。【解決手段】二酸化チタン微粒子とテトライソプロポキシチタンと有機溶媒とからなり、該テトライソプロポキシチタンを二酸化チタン微粒子100重量部当り10乃至30重量部の量で含有し、且つ固形分濃度が25乃至30重量%の範囲にあることを特徴とする半導体微粒子ペースト。【選択図】なし。

請求項（抜粋）：

二酸化チタン微粒子とテトライソプロポキシチタンと有機溶媒とからなり、該テトライソプロポキシチタンを二酸化チタン微粒子100重量部当り10乃至40重量部の量で含有し、且つ固形分濃度が25乃至50重量%の範囲にあることを特徴とする半導体微粒子ペースト。

IPC (3件)：

H01B1/20 , H01L31/04 , H01M14/00

FI (3件)：

H01B1/20 A , H01M14/00 P , H01L31/04 Z

Fターム (18件)：

5F051AA14 , 5F051CB13 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA05 , 5G301DA22 , 5G301DA23 , 5G301DA42 , 5G301DD01 , 5H032AA06 , 5H032AS09 , 5H032AS16 , 5H032CC11 , 5H032EE02 , 5H032EE04 , 5H032EE18 , 5H032HH01 , 5H032HH04

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体微粒子ペースト、半導体膜およびその製造方法と光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-103313 出願人：ソニー株式会社
特許第2664194号
特公平8-15097号

審査官引用 (4件)

光電変換膜、光電変換用電極、および光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-262466 出願人：ティーディーケイ株式会社
半導体電極の製造方法及び光化学電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081271 出願人：リンテック株式会社
導電性酸化チタンポーラス厚膜の低温合成
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-083333 出願人：テイカ株式会社, 箕浦秀樹, 吉田司

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