特許
J-GLOBAL ID：200903089843594740

半導体電極の製造方法及び光化学電池

発明者：
中林 正仁

中林 正仁 について

, 
中田 安一

中田 安一 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081271
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280327
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で低コストであり、焼成工程を行わなくてもよい半導体電極の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 有機チタネートを含む酸化物半導体分散液を基板に塗布し、次いで加水分解処理することを特徴とする半導体電極の製造方法。
請求項（抜粋）：
有機チタネートを含む酸化物半導体分散液を基板に塗布し、次いで加水分解処理することを特徴とする半導体電極の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (4件)：
H01L 21/288 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (14件)：
4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104GG05 ,  5F051FA06 ,  5F051FA11 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17
引用特許：
審査官引用 (8件)
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