特許
J-GLOBAL ID:200903097955344757
半導体湿式エッチング装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
服部 雅紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-270516
公開番号(公開出願番号):特開2000-114233
出願日: 1999年09月24日
公開日(公表日): 2000年04月21日
要約:
【要約】【課題】 ウェーハの副産物を除去することにより、良質のウェーハを製造することができる半導体湿式エッチング装置を提供する。【解決手段】 ケミカル3が収容されるバス10と、バス10にケミカル3を供給するケミカル供給部と、バス10に収容されたケミカル3を外部に排出するケミカル排出口10aと、ウェーハ1の使用面が下方を向くようにウェーハ1を把持し、ウェーハ1をケミカル液に定位するウェーハガイド30と、ウェーハ1をローディング及びアンローディングさせるロボットと、ウェーハ1にケミカル3を高圧噴射するケミカル噴射部20とを備える。ウェーハ1の使用面が下方を向くので、ケミカルによってエッチングされたウェーハ1の異物質2が重力によってウェーハ1から完全に離脱する。
請求項(抜粋):
所定量のケミカルが収容されるバスと、前記バスに一定量のケミカルを供給するケミカル供給部と、前記バスに収容されたケミカルを外部に排出するケミカル排出部と、ウェーハの使用面が下方を向くように前記ウェーハを把持して固定し、前記ウェーハを前記ケミカル液に定位するウェーハガイドと、前記ウェーハを前記ウェーハガイドにローディング及びアンローディングさせる移送ロボットと、前記ウェーハの表面に沿って前記ケミカルが流動するように前記ケミカルを高圧噴射するケミカル噴射部と、を備えることを特徴とする半導体湿式エッチング装置。
IPC (2件):
H01L 21/306
, H01L 21/304 642
FI (2件):
H01L 21/306 J
, H01L 21/304 642 F
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-169936
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭48-050981
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特開昭51-028760
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特開昭56-006442
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審査官引用 (4件)