特許

J-GLOBAL ID：200903097981283340

不揮発性半導体メモリIC及びそのバーンインテスト方法

発明者： 瀧澤 登
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288598
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123599
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】バーンインテストに関連する作業や装置が簡素なもので済むようにする。【解決手段】フラッシュメモリ11と共にCPU21も搭載した不揮発性半導体メモリIC60において、CPU21のプログラムコードを保持するマスクROM61と、CPU21によって一時記憶に用いられるSRAM62とを備え、CPU21は、フラッシュメモリ11にアクセスしてその良否テストを行う処理(61a)と、その結果のステータス62aをSRAM62に一時退避させる処理(61a)と、ステータス62aをSRAM62からフラッシュメモリ11へ転記する処理(61a)とを行う。これにより、一連の工程が迅速で正確に而も手間無く処理される。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリを搭載した不揮発性半導体メモリICにおいて、前記不揮発性半導体メモリにアクセスしてその良否テストを行うテスト手段と、そのテスト結果またはそれに基づいて生成したアクセス情報を前記不揮発性半導体メモリに書き込む書込手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリIC。

IPC (3件)：

G11C 29/00 675 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G11C 29/00 675 L ,  H01L 21/66 H ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V

Fターム (17件)：

2G032AA03 ,  2G032AA08 ,  2G032AB13 ,  2G032AE08 ,  2G032AE12 ,  2G032AK19 ,  4M106AA04 ,  4M106AB08 ,  4M106AC02 ,  4M106CA56 ,  4M106DA14 ,  4M106DG23 ,  4M106DJ38 ,  5L106AA10 ,  5L106AA16 ,  5L106DD24 ,  5L106DD35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アレイ組込み自己試験システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000102   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭63-164100