特許
J-GLOBAL ID：200903098017843341

プラズマ処理装置

発明者：
岩▲崎▼ 征英

岩▲崎▼ 征英 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-088407
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251660
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】処理ガス導入部の効率化を図り、プラズマ密度分布の均一性ないし制御性に優れた高密度・低電子温度のプラズマ生成を可能とすること。【解決手段】マイクロ波発生器60より出力されたマイクロ波は、導波管62、導波管-同軸管変換器64および同軸管66を有するマイクロ波伝送線路58を伝播して、遅延板56を通ってラジアルラインスロットアンテナ54に給電され、アンテナ54の各スロットからチャンバ10内に向けて放射され、マイクロ波のパワーで処理ガスのプラズマが生成される。処理ガス供給源82より送出された処理ガスは、第1ガス供給管84および同軸管66のガス流路80を通って上部中心ガス吐出口86から吐出され、チャンバ10内で軸対称・放射状に拡散する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、 プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、 前記マイクロ波発生器より出力された前記マイクロ波を前記処理容器に向けて伝送するための導波管と、 前記導波管の終端に接続された導波管-同軸管変換器と、 前記導波管-同軸管変換器から前記処理容器まで前記マイクロ波を伝送するための線路を形成し、その内部導体に中空部を有する同軸管と、 前記同軸管の前記内部導体の中空部を介して前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と を有し、前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L21/302 101D ,  H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 C
Fターム (29件)：
4K030EA03 ,  4K030KA20 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA37 ,  4K030KA39 ,  5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BB14 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CB02 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EJ05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB08 ,  5F045GB09
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004016252   出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (1件)

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