特許

J-GLOBAL ID：200903098027385392

シリコン単結晶用引上げ装置

発明者： 古川 純 ,  原田 和浩
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007497
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶棒の結晶内の引上げ方向の温度勾配を略一定にすることができ、石英るつぼに投入される原料(シリコン多結晶体)の融解時間を短縮できる。【解決手段】チャンバ13内に石英るつぼ14が設けられ、この石英るつぼ14にシリコン融液12が貯留される。単結晶棒引上げ手段23がシリコン融液12に浸される種結晶26とこの種結晶26を引上げる種結晶用ワイヤケーブル24とを有し、シリコン単結晶棒11を引上げるように構成される。上記引上げられるシリコン単結晶棒11の上方にこのシリコン単結晶棒11と同一の外径を有する円柱状のダミーボディ32がシリコン単結晶棒11と同軸に設けられ、ダミーボディ32がシリコン単結晶棒11の上面から所定の間隔をあけてダミー引上げ手段33により引上げられるように構成される。

請求項（抜粋）：

チャンバ(13)内に設けられシリコン融液(12)が貯留された石英るつぼ(14)と、前記シリコン融液(12)に浸される種結晶(26)とこの種結晶(26)を引上げる種結晶用ワイヤケーブル(24)とを有しシリコン単結晶棒(11,51)を引上げる単結晶棒引上げ手段(23)とを備えたシリコン単結晶用引上げ装置において、前記引上げられるシリコン単結晶棒(11,51)の上方にこのシリコン単結晶棒(11,51)と同一の外径を有する円柱状のダミーボディ(32)が前記シリコン単結晶棒(11,51)と同軸に設けられ、前記ダミーボディ(32)が前記シリコン単結晶棒(11,51)の上面から所定の間隔をあけてダミー引上げ手段(33)により引上げられるように構成されたことを特徴とするシリコン単結晶用引上げ装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z

Fターム (8件)：

4G050FA10 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077EG02 ,  4G077EG12 ,  4G077EG15 ,  4G077EH07 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-321581
  
• 単結晶の引上げ方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-329868   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト