特許
J-GLOBAL ID：200903057536489000

単結晶の引上げ方法及び装置

発明者：
エリッヒ・ドルンベルガー

エリッヒ・ドルンベルガー について

, 
ヴィルフリート・フォン・アモン

ヴィルフリート・フォン・アモン について


出願人/特許権者：
ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト

ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329868
公開番号（公開出願番号）：特開平9-227272
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：
【要約】【課題】 ほぼ完全に定性的に高グレードの半導体ウエハに積層欠陥なしにカットできる円筒部を有するシリコン単結晶を製造できるようにする。【解決手段】 単結晶引上げ開始時と単結晶引上げ終了時に円錐部を引上げ、前記円錐部引上げの間に円筒部を引上げることを含んでなる融解物2からシリコン単結晶を引上げる方法において、前記単結晶の引上げ開始時に前記円錐部の表面を、前記単結晶から離れたシールド部5によりシールドすることを特徴とし、また、融解物2からシリコン単結晶を引上げるための装置であって、前記単結晶から離れており且つ単結晶の引上げ開始時に円錐部の表面をシールドするシールド部5を備えてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶引上げ開始時と単結晶引上げ終了時に円錐部を引上げ、前記円錐部引上げの間に円筒部を引上げることを含んでなる融解物からシリコン単結晶を引上げる方法において、前記単結晶の引上げ開始時に前記円錐部の表面を、前記単結晶から離れたシールド部によりシールドすることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06
FI (2件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 C
引用特許：
審査官引用 (11件)
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