半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289878
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140440
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】高周波半導体素子などの半導体装置において、保護膜形成により入出力容量が増加しないようにし、高周波特性を改善する。【構成】 n形ガリウムヒ素(GaAs)層1の一部をエッチング処理して形成した凹部にゲート電極3を設け、ソース電極4とドレイン電極5とを、その端部がゲート電極3を非接触に覆うように形成し、パッシベーション膜(保護膜)6をソース電極4およびドレイン電極5の上面に形成することにより、ゲート電極3を囲んで中空領域7を形成する。

請求項（抜粋）：