特許
J-GLOBAL ID:200903098064997888
表面処理装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野口 武男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-037482
公開番号(公開出願番号):特開2001-230208
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】高速で高品質に且つ広い面積に均一な表面処理が可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置(1) のケーシング(2) はプラズマ発生電極(5,6) を備えたプラズマ発生室(3) と、基板支持台(9) を備えた基板処理室(4) との二室に画成されている。前記両室(3,4) の隔壁を構成するアノード電極(6) にはプラズマ吹出口(7) が形成されている。同プラズマ吹出口(7) はその上面形状が例えば渦巻き状などの一筆書きできる実質的に連続している長尺なスリット形状をなしている。
請求項(抜粋):
プラズマ発生手段、原料ガス導入口、及び基板支持台を備えたケーシング内に、前記プラズマ発生手段によりプラズマを発生させて原料ガスをプラズマ化し、前記基板支持台上に載置された基板表面をプラズマ処理する表面処理装置であって、前記ケーシングは、前記プラズマ発生手段を備えたプラズマ発生室と前記基板支持台を備えた基板処理室との二室に仕切り板により画成され、前記仕切り板には一以上のプラズマ吹出口が形成されてなり、前記プラズマ吹出口は一筆書きできる実質的に連続した長尺なスリット形状をなしていることを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/205
, C23C 16/505
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (4件):
H01L 21/205
, C23C 16/505
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 B
Fターム (22件):
4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030BB03
, 4K030FA03
, 4K030KA12
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 4K030KA45
, 5F004BA06
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AA14
, 5F045AB03
, 5F045BB09
, 5F045DP03
, 5F045EH04
, 5F045EH11
, 5F045EH12
, 5F045EH13
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
特開平3-262119
-
表面処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-201395
出願人:株式会社小松製作所
-
特開昭63-041028
-
特開昭61-064128
-
処理装置および処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-306437
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
特開平3-262119
-
特開昭63-041028
-
特開昭61-064128
全件表示
前のページに戻る