特許
J-GLOBAL ID：200903098090442649
被膜除去方法と基板処理装置と、これら方法及び装置に用いる赤外線照射装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉谷 勉
, 戸高 弘幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-041027
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205286
出願日： 2007年02月21日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】基板に被着した被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去しても、基板上に良好な端面形状を有する被膜を残すことができる被膜除去方法と基板処理装置と、これら方法及び装置に用いる赤外線照射装置を提供する。【解決手段】レジスト膜Cが被着された基板Wの端縁部に溶解液を供給するエッジノズル13と、赤外線を照射してレジスト膜Cを加熱する赤外線照射部31とを備えている。そして、溶解液の供給に先立って赤外線照射部31が端縁部のレジスト膜Cを予め加熱し、端縁部のレジスト膜Cに含まれるレジスト溶媒を蒸発させる。これにより、端縁部のレジスト膜Cを溶解する際にその端面が変形することがない。したがって、最終的に得られる基板W上のレジスト膜Cは良好な端面形状を有する。また、赤外線照射部31は赤外線を照射して加熱するので、端縁部以外のレジスト膜Cの膜厚がばらつくおそれがない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に被着された被膜のうち、基板の端縁部の被膜を除去する被膜除去方法において、
前記端縁部に赤外線を照射して前記端縁部の被膜を予め加熱する加熱過程と、
被膜を溶解除去する溶解液を、前記加熱過程で加熱された被膜に供給する溶解液供給過程と、
を備えていることを特徴とする被膜除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/306
H01L21/30 577
, H01L21/306 J
, H01L21/30 565
5F043AA29
, 5F043CC16
, 5F043DD02
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE40
, 5F046JA04
, 5F046JA15
