特許

J-GLOBAL ID：200903098103382012

検出方法及び検出装置及び研磨装置

発明者： 潮 嘉次郎 ,  上田 武彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-150963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040680
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置製造工程における、半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、半導体素子表面にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性により除去工程の工程終了点を検出するときに、ウェハのデバイスパターンに依存した不確定性と測定位置による誤差のほか、低い信号変化量のため、工程終了点の正確な検出が困難であった。【解決手段】信号波形の極大値、または極小値、またはこれらを用いて計算したパラメータ、具体例としては、分散、フーリエ変換の成分、相互相関関数を利用することによって、工程終了点の正確な検出が可能となった。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造工程における、半導体素子表面の絶縁層あるいは電極層の除去工程において、前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって、前記分光特性の信号から演算されたパラメータを利用して、工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/04 ,  G01B 11/06

FI (4件)：

H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/04 K ,  G01B 11/06 G

Fターム (28件)：

2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065CC02 ,  2F065CC19 ,  2F065DD03 ,  2F065DD04 ,  2F065FF44 ,  2F065FF46 ,  2F065GG03 ,  2F065HH04 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL12 ,  2F065LL30 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ26 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ41 ,  3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058BB08 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037627   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-050703
  
• 特開昭64-057107