特許
J-GLOBAL ID：200903098106074700
熱伝播時間計測型フローセンサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303421
公開番号（公開出願番号）：特開平8-062011
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】感度が良く、広範囲の流速を計測でき、汚れに対する耐性が高い熱伝播時間計測型フローセンサを提供する。【構成】N型シリコン基板1にSiO2 膜4、Si3 N4 膜5を設け、その上にTi膜とPt膜の二重膜の薄膜抵抗膜で参照温度検出素子6、加熱素子7、温度検出素子8を間隔をおいて形成し、表面をSiO2 膜9で被覆する。参照温度検出素子6の測温抵抗体6a、加熱素子7のマイクロヒータ部7a、温度検出素子8の測温抵抗体8aの下に均熱板としてP++型領域3を設ける。シリコン基板1を裏面から選択エッチしてP++型領域3とその周辺のSiO2 膜4を露出させ、熱絶縁構造とする。
請求項（抜粋）：
流体が流れる流管内に設けられた一導電型シリコン基板と、このシリコン基板の上面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に間隔をおいて平行に前記流体の上流側から下流側に向かって順に薄膜抵抗膜で形成された加熱素子および温度検出素子と、前記加熱素子のマイクロヒータ部の下の前記シリコン基板を裏面から選択エッチして前記絶縁膜を露出させる凹部とを備えた熱伝播時間計測型フローセンサにおいて、前記加熱素子の上流側に参照温度検出素子が設けられ、前記参照温度検出素子、前記加熱素子および前記温度検出素子の表面が酸化シリコン膜で被覆され、前記参照温度検出素子の測温抵抗体と前記加熱素子のマイクロヒータ部と前記温度検出素子の測温抵抗体の下にそれぞれ均熱板として反対導電型領域が設けられ、前記シリコン基板に前記反対導電型領域とその周辺の前記絶縁膜を露出させる凹部が設けられていることを特徴とする熱伝播時間計測型フローセンサ。
IPC (3件)：
G01F 1/68
, G01P 5/12
, H01L 29/84
