特許
J-GLOBAL ID：200903098115745978

プラズマ処理装置

発明者：
藤本 秀樹

藤本 秀樹 について

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坪井 秀夫

坪井 秀夫 について

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田辺 正文

田辺 正文 について

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野村 太郎

野村 太郎 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279017
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106097
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】[目的] 基板を高速度でエッチングすることが出来、かつ基板にチャージアップやそれに伴うダメージを招かないプラズマ処理装置を提供すること。[構成] 真空槽20に配置した平行平板電極11、12にそれぞれRF電源15、19を接続し、かつ一方の電極11には基板16を載置し、更にそれぞれの電極11、12に印加されるRF電力が互いに180度の位相差を持つように移相器40をRF電源15、19に接続する。
請求項（抜粋）：
真空槽内にプラズマ発生用の気体が導入され、かつ一対の平行平板電極が配設されたプラズマ処理装置において、一方の第1電極には基板が載置されると共に前記基板にバイアスをかけるための高周波電源が接続され、他方の第2電極にはプラズマ発生用の高周波電源が接続されており、前記基板をプラズマ処理するに当っては、前記第1電極と前記第2電極において互いに180度の位相差を持つように高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H
引用特許：
審査官引用 (3件)

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