特許

J-GLOBAL ID：200903098168189457

低誘電率多孔質シリカ質膜、半導体装置およびコーティング組成物

発明者： 青木 倫子 ,  清水 泰雄
出願人/特許権者： 東燃ゼネラル石油株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026415
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 誘電率の低い多孔質シリカ質膜、当該多孔質シリカ質膜を含む半導体装置および当該多孔質シリカ質膜を与えるコーティング組成物を提供する。【解決手段】 アルミニウム含有ポリシラザンとポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリル酸エステルとを含む組成物の膜を焼成することにより得られる、比誘電率が2.5未満であることを特徴とする多孔質シリカ質膜。前記多孔質シリカ質膜を層間絶縁膜として含むことを特徴とする半導体装置。有機溶剤中にアルミニウム含有ポリシラザンとポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリル酸エステルとを含んでなるコーティング組成物。

請求項（抜粋）：

アルミニウム含有ポリシラザンとポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリル酸エステルとを含む組成物の膜を焼成することにより得られる、比誘電率が2.5未満であることを特徴とする多孔質シリカ質膜。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  H01L 21/316 ,  C09D183/16

FI (3件)：

C01B 33/12 C ,  H01L 21/316 G ,  C09D183/16

Fターム (52件)：

4G072AA25 ,  4G072AA50 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072EE07 ,  4G072FF01 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ28 ,  4G072JJ46 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL15 ,  4G072MM02 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072RR13 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4J038AA011 ,  4J038CG141 ,  4J038CG142 ,  4J038CH031 ,  4J038CH032 ,  4J038DL171 ,  4J038DL172 ,  4J038HA446 ,  4J038JC38 ,  4J038KA06 ,  4J038LA03 ,  4J038NA17 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ハードコート膜を被覆した物品及びハードコート膜の被覆方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344031   出願人：東燃株式会社
• 低誘電率シリカ質膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282987   出願人：東燃株式会社
• コーティング用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-091856   出願人：東燃株式会社