特許

J-GLOBAL ID：200903060380856644

低誘電率シリカ質膜

発明者： 清水 泰雄 ,  山田 一博 ,  青木 倫子 ,  田代 裕治 ,  舟山 徹
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282987
公開番号（公開出願番号）：特開平11-105185
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率の小さなシリカ質膜を提供するとともに、そのシリカ質膜を含有する半導体装置及びコーティング組成物を提供する。【解決手段】 アルミニウム含有ポリシラザン膜を加熱焼成して形成した低誘電率シリカ質膜。前記シリカ質膜を層間絶縁膜として含有することを特徴とする半導体装置。アルミニウム含有ポリシラザンを含む有機溶媒溶液からなるコーティング組成物。

請求項（抜粋）：

アルミニウム含有ポリシラザン膜を加熱焼成して形成した低誘電率シリカ質膜。

IPC (7件)：

B32B 9/00 ,  B32B 7/02 104 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/16 ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 104 ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/16 ,  H01B 3/46 E ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (2件)

• コーティング用組成物及びコーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214268   出願人：東燃株式会社
• コーティング用組成物及びコーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093275   出願人：東燃株式会社