半導体高周波装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河宮治 , 石野正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151149
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356310
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】従来技術に比較して、小型・軽量化することができ、製造方法が簡単であって、しかも5GHz以上の高い周波数帯においても低損失である半導体高周波装置とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1に形成された凹部1a及びシリコン基板1の表面上に形成されたミアンダ形状のストリップ導体である配線導体膜50と、その両端のシリコン基板1上に位置する引き出し電極50a,50bとによりインダクタデバイス60を形成する。当該インダクタデバイス60を、そのシリコン基板1の凹部1aが別のシリコン基板11に形成されたRF-CMOS素子回路11aの形成面に対向するように、メタルバンプ9及び樹脂補強材10を用いてフリップチップ実装することにより半導体高周波装置を形成した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板表面に第1の凹部を有する第1の基板と、少なくとも上記第1の凹部を含む上記第1の基板上に形成された配線導体とを備えた機能デバイスと、基板表面に半導体素子回路を有する第2の基板とを備えた半導体高周波装置であって、上記第1の基板の第1の凹部が上記半導体素子回路に対向するように、上記第1の基板を上記第2の基板にフリップチップ実装したことを特徴とする半導体高周波装置。

IPC (4件)：

H01L23/12 , H01L23/14 , H01P3/08 , H01P9/00

FI (4件)：

H01L23/12 301C , H01P3/08 , H01P9/00 A , H01L23/14 S

Fターム (1件)：

5J014CA53

引用特許：

審査官引用 (1件)

リッド・エアブリッジ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-129679 出願人：ハリス・コーポレーション

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