半導体用ヒートシンクおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067991
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】ダイヤモンド粒子を含む高熱伝導であり、かつ半導体との熱膨張による熱歪みを解消したヒートシンク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Ag、Cu、Au,Al、Mg、Znから選ばれる1種以上の金属(A)と、4a,5a族元素及びCrから選ばれる1種以上の金属(B)の合金(C)をダイヤモンド粒子の周囲で溶融することにより、ダイヤモンド粒子の表面に形成する金属の炭化物(B’)を介して、ダイヤモンド粒子と金属(A)が密着し、金属(A)の熱伝導率を大きく上回る高熱伝導性のヒートシンクとなる。その手法は溶浸法でも焼結法でも可能である。特に金属炭化物(B’)をマトリックス金属の形成と同時若しくは形成後にダイヤモンド粒子の表面に形成させることが、本発明の特徴であり、効果的な形成方法といえる。金属炭化物(B’)の存在は、ダイヤモンド粒子の表面積の1/4以上あれば、有効であり、かつダイヤモンド粒子同士が金属により隔てられている構造を持つことが重要である。

請求項（抜粋）：

Ag,Cu,Au,Al,Mg,Znから選ばれる1種以上の金属(A)と、4a、5a族元素及びCrから選ばれる1種以上の金属(B)からなる炭化物(B’)と複数のダイヤモンド粒子からなり、個々のダイヤモンド粒子の表面積の1/4以上を炭化物(B’)が覆っており、その炭化物(B’)に覆われたダイヤモンド粒子同士が金属(A)によって隔てられている構造を持っていることを特徴とする半導体用ヒートシンク。

IPC (6件)：

H01L 23/36 , B22D 19/14 , B22F 7/00 , C04B 35/52 301 , H01L 23/373 , H05K 7/20

FI (6件)：

H01L 23/36 Z , B22D 19/14 A , B22F 7/00 Z , C04B 35/52 301 D , H05K 7/20 D , H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特許第3617232号
特開昭51-095412
特開昭53-141314

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