特許

J-GLOBAL ID：200903098187566687

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 橋本 順一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058973
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子の内部抵抗を抑えて、素子の発熱を低減することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、基板2上に設けられた活性層8と、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含み活性層8に沿って設けられた第1クラッド層20と、活性層8と第2のクラッド層20との間に挟まれ、GaInAsP半導体を含む中間層22と、中間層22と活性層8との間にに挟まれ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第1のクラッド層12と、を備える。中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にGaAs半導体を使用する場合に比べて、第1のおよび第2のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が縮小される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に設けられ、GaInAsP半導体を含む中間層と、前記中間層上に設けられ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第2のクラッド層と、を備える半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

Fターム (22件)：

5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F073AA21 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA06 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB09 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-255491   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004123   出願人：富士通株式会社