特許

J-GLOBAL ID：200903098193124076

微細空間への金属充填装置および金属充填方法

発明者： 末益 龍夫 ,  佐藤 倬暢 ,  滝沢 功 ,  糸井 和久
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 加川 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355725
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158191
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板等にあけた高アスペクト比の微細孔への金属充填を可能にする。【解決手段】 微細孔2を持つ例えばシリコン基板1を、真空圧に減圧した真空チャンバー11内で溶融金属槽23に挿入し、シリコン基板1が溶融金属3とほぼ同じ温度に達した後、真空チャンバー11内を例えば大気圧以上に加圧して、溶融金属3を微細孔2に充填する。高アスペクト比の微細孔に対しても金属充填が可能となり、鬆(す)などの空隙の生じない金属充填を行なうことができる。貫通電極のための貫通した微細孔に金属充填を行なう場合は、空隙のない良好な貫通電極を作成することが出来る。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、前記真空チャンバー内を真空圧に減圧するための減圧手段と、前記真空チャンバー内に配置された溶融金属槽と、前記溶融金属槽内の金属を加熱溶融するためのヒータと、金属を充填しようとする微細空間を持つワークをクランプして前記真空チャンバー内の溶融金属槽内に挿入するためのワーク固定用アームと、ワークを溶融金属槽内に挿入した後に真空チャンバー内を大気圧以上に加圧するための加圧手段とを備えたことを特徴とする微細空間への金属充填装置。

IPC (2件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 J

Fターム (31件)：

4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD19 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104FF27 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033TT07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-344264   出願人：株式会社東芝