特許

J-GLOBAL ID：200903098201335120

記録媒体

発明者： 亀井 隆広 ,  小林 健 ,  富田 秀実 ,  藤原 一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072932
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265676
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 走行性、耐摩耗性、耐久性に優れ、また、針状電極の摩耗も抑制できるような構成を有する超高密度記録が可能な記録媒体を提供する。【解決手段】 基板11上に、電子またはホールのトラップが存在する電荷蓄積層13が形成されてなり、針状電極を接触させて前記トラップへの電荷の移動を行うことにより情報の記録がなされ、針状電極を接触させて容量変化を検出することにより情報の再生がなされる記録媒体において、少なくとも針状電極との接触面に両親媒性化合物が保持させる。なお、電荷蓄積層13は、酸化シリコン膜14、窒化シリコン膜15、酸化シリコン膜16がこの順に積層されたものであって好適である。

請求項（抜粋）：

基板上に、電子またはホールのトラップが存在する電荷蓄積層が形成されてなり、針状電極を接触させて前記トラップへの電荷の移動を行うことにより情報の記録がなされ、針状電極を接触させて容量変化を検出することにより情報の再生がなされる記録媒体において、少なくとも針状電極との接触面に、化1または化2に示される両親媒性化合物が保持されていることを特徴とする記録媒体。【化1】【化2】

IPC (5件)：

G11B 9/06 ,  C07F 7/12 ,  C07F 7/18 ,  C07F 7/28 ,  G01N 37/00

FI (7件)：

G11B 9/06 Z ,  C07F 7/12 Q ,  C07F 7/18 B ,  C07F 7/18 D ,  C07F 7/18 E ,  C07F 7/28 A ,  G01N 37/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-206002
  
• 特開昭58-171737
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243064   出願人：松下電子工業株式会社