半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290042
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】活性層3の発光領域付近の素子の欠けを防ぎ、発光領域への異物の付着がない半導体発光素子を得る。【解決手段】活性層3の発光領域付近の素子上面Aを発光領域付近以外の素子上面Bよりも低く形成する。また、活性層3の発光領域付近の素子端面Cを発光領域付近以外の素子端面Dよりも内側に形成する。

請求項（抜粋）：

基板とこの基板上に形成され端面から光を発振する活性層とを備えた半導体発光素子において、上記活性層の発光領域付近の素子上面は発光領域付近以外の素子上面よりも低いことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (10件)

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