特許
J-GLOBAL ID：200903098211551696
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090297
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251772
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】安定した耐圧を実現するショットキー電極の終端構造を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板1と、半導体基板1上に形成され、活性領域とそれを取り囲む素子終端領域を有する第1導電型の半導体層2と、半導体層2の活性領域の表面に形成され、半導体層2とはショットキー障壁を形成する第1の電極7と、半導体基板の裏面に形成された第2の電極10と、半導体層の表面で、活性領域端部から素子終端領域にかけて形成された第2導電型の第1半導体領域3と、半導体層の表面で、第1半導体領域の内部表面で、第1の電極7の端部下に形成された第2導電型の第2半導体領域4と、第2半導体領域4上において、第1の電極7と電気的に接続され、且つ活性領域2と離間して形成され、第1の電極とは異なる材料で形成された第3の電極11とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、活性領域とそれを取り囲む素子終端領域を有する第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の前記活性領域の表面に形成され、前記半導体層とはショットキー障壁を形成する第1の電極と、
前記半導体基板の裏面に形成された第2の電極と、
前記半導体層の表面で、前記活性領域端部から前記素子終端領域にかけて形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第2導電型の第1半導体領域の内部表面で、前記第1の電極の端部下に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2の半導体領域上において、前記第1の電極と電気的に接続され、かつ前記活性領域と離間して形成され、前記第1の電極とは異なる材料で形成された第3の電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 E
4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH18
