特許

J-GLOBAL ID：200903009337480929

半導体装置の製造方法

発明者： 前山 雄介 ,  西川 恒一 ,  福田 祐介 ,  清水 正章 ,  岩黒 弘明
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367377
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135972
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】半導体基板、特に不純物拡散が困難なSiCに対して、同一導電型であって不純物濃度の異なる複数の領域を一度のイオン注入で形成する製造方法に関する。【解決手段】 n型の半導体層2の表面に第1の開口部を有する第1の絶縁物31を設置し、第1の開口部に第2の開口部を有する第1の絶縁膜31より薄い第2の絶縁膜32を設置し、第1の絶縁膜31をマスクに、第2の絶縁膜32と第2の開口部を通してp型の不純物をイオン注入することによりp型の低濃度領域41を作成し、更に第2の開口部を通してp型の不純物をイオン注入することにより、p型の低濃度領域41内にp型の高濃度領域42を作成することを特徴とするする半導体装置の製造方法。ショットキーダイオードのガードリングに適用し、耐圧が安定し、順サージに強い素子が得られた。またこの製造方法は表面濃度の異なる複数のウェル領域の形成にも応用できる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層の表面に第1の開口部を有する第1の絶縁物を設置し、前記第1の開口部に第2の開口部を有する前記第1の絶縁膜より薄い第2の絶縁膜を設置し、前記第1の絶縁膜をマスクに、前記第2の絶縁膜と第2の開口部を通して第2導電型の不純物をイオン注入することにより第2導電型の低濃度領域を作成し、更に第2の開口部を通して第2導電型の不純物をイオン注入することにより、前記第2導電型の低濃度領域内に第2導電型の高濃度領域を作成することを特徴とするする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L29/47 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/872

FI (6件)：

H01L29/48 P ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 E ,  H01L21/265 M ,  H01L21/265 F ,  H01L27/08 321B

Fターム (24件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104DD23 ,  4M104DD65 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG10 ,  4M104HH18 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB15 ,  5F048BE01 ,  5F048BE02 ,  5F048BE05 ,  5F048BE06 ,  5F048BH05

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許3541403号明細書
  
• 米国特許5895260号明細書
  
• 米国特許4638551号明細書
  
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
• 特開昭57-128027号公報
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-114537   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

• 炭化けい素半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-109177   出願人：富士電機株式会社