特許
J-GLOBAL ID：200903098213894523
不揮発性半導体記憶装置、半導体装置及びMOSトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057380
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275842
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は不揮発性半導体メモリ、半導体装置及びMOSトランジスタに関し、電源回路等を構成するトランジスタの耐圧を低減すること及び主としてそのような回路で使用されるデプリーション型トランジスタの製造工程の改良を目的とする。【構成】 記憶データの電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、コントロールゲート101に負電圧を印加してフローティングゲート102内の電荷をチャンネルに引き抜くチャンネル消去を行なう不揮発性半導体記憶装置において、消去時には消去用正電圧発生手段140によって発生された電源電圧よりも高い電圧がチャンネルに印加されるように構成する。
請求項（抜粋）：
記憶データの電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、コントロールゲート(101)に負電圧を印加して、フローティングゲート(102)内の電荷をチャンネルに引き抜くチャンネル消去を行なう不揮発性半導体記憶装置において、消去時には、消去用正電圧発生手段(140)によって発生された電源電圧よりも高い電圧が前記チャンネルに印加されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
