特許
J-GLOBAL ID：200903098252464501
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251260
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】シリコン基板中に不純物拡散層を有する半導体装置の製造方法において、拡散層中の不純物濃度の低下を防止し、シート抵抗の上昇を防ぎつつ浅い拡散接合を実現する。また、ボロン系不純物を導入する場合における増速拡散の問題を解消し、設定どおりの浅い拡散接合を実現する。【解決手段】3keV以下の加速電圧でシリコン基板に対して直接に不純物を注入した後、前記シリコン基板を、表面を露出した状態でアニールする。アニールは酸素含有量100ppm以下の窒素雰囲気下で行い、アニール温度を1000°C以上1100°C以下とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板中に不純物拡散層を有する半導体装置の製造方法において、シリコン基板に対し、該シリコン基板上に形成された2.5nm以下の厚みのシリコン酸化膜を介して3keV以下の加速電圧で不純物を注入した後、前記酸化膜を残した状態で前記シリコン基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 H
, H01L 21/265 602 A
