半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199719
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】接合の浅いp型ソース・ドレイン拡散層を有するp型MOSトランジスタを提供すること。【解決手段】p型シリコン基板1の表面にGaをイオン注入してアモルファス状態の第1の不純物領域5aを形成し、次に第1の不純物領域5aの表面にBF2をイオン注入して第2の不純物領域5bを形成し、次に熱処理によりGa、Bを活性化してp型シリコン基板1の表面に浅いp型ソース・ドレイン拡散層7を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体領域の表面に第1の第2導電型不純物を導入して、前記第1導電型半導体領域の表面にアモルファス状態の第1の不純物領域を形成する工程と、この第1の不純物領域の表面に前記第1の第2導電型不純物よりも低質量の第2の第2導電型不純物を導入して、前記第1の不純物領域の表面に第2の不純物領域を形成する工程と、熱処理により前記第1および第2の第2導電型不純物を活性化して、前記第1導電型半導体領域の表面に第2導電型拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-204188 出願人：ソニー株式会社
集積回路を製造するための方法およびp形ドーパントの拡散を減少するための方法、ならびに集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-261795 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
特開平3-272146

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