特許

J-GLOBAL ID：200903098274055079

ヒータおよびヒータ付き炉

発明者： 藤井 道夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416431
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175366
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 従来の素線は、1本で形成されているため、素線が切れてしまうと温度が急激に低下し、これにより、熱処理中の半導体基板が直ちに不良となるという問題があった。 【解決手段】 本発明に係るヒータ付き炉は、半導体基板を熱処理するヒータ付き炉であって、前記熱処理を行うために発熱する相互に並列接続された複数の素線を含む中空の筒状のヒータと、前記半導体基板を支持し前記ヒータの中に収容するためのボートとを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板を熱処理するヒータ付き炉であって、 前記熱処理を行うために発熱する相互に並列接続された複数の素線を含む中空の筒状のヒータと、 前記半導体基板を支持し前記ヒータの中に収容するためのボートと を含むことを特徴とするヒータ付き炉。

IPC (4件)：

H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H05B3/00 ,  H05B3/64

FI (5件)：

H01L21/02 Z ,  H01L21/22 501A ,  H01L21/22 511A ,  H05B3/00 350 ,  H05B3/64

Fターム (14件)：

3K058AA43 ,  3K058BA19 ,  3K058CE12 ,  3K058CE23 ,  3K058CE30 ,  3K092PP09 ,  3K092QA03 ,  3K092QA04 ,  3K092QB02 ,  3K092QB11 ,  3K092QB50 ,  3K092QB51 ,  3K092RE01 ,  3K092VV28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体熱処理装置用ヒータユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277938   出願人：東芝セラミックス株式会社, 東京エレクトロン株式会社