特許

J-GLOBAL ID：200903098279988480

半導体装置及びその製造方法

発明者： ラジェシュ クマール ,  恩田 正一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121744
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 六方晶の炭化珪素からなるソース領域と取り出し電極との間におけるコンタクト抵抗を小さくする。【解決手段】 ソース電極12の接触部となるソース領域5の上部を3Cの炭化珪素で形成する。すなわち、ソース領域5はp- 型炭化珪素半導体層3にイオン注入を行って形成されるが、p- 型炭化珪素半導体層3は六方晶の炭化珪素で構成されており、バンドギャップが大きい。また、六方晶の炭化珪素はドーピングレベルの限界が低いため、コンタクト抵抗低減の限界が低い。このため、ソース電極12と接触する部分におけるソース領域5の上部を、バンドギャップが小さく、かつドーピングレベルの限界が高い3Cの炭化珪素で構成する。

請求項（抜粋）：

六方晶の炭化珪素からなるコンタクト領域(5)を有し、このコンタクト領域(5)の上面に成膜された絶縁膜(9、12)を貫通するコンタクトホール(13)を介して、前記絶縁膜(9、12)の上に形成された取り出し電極(12)と前記コンタクト領域(5)とを電気的に導通させてなる炭化珪素半導体装置において、前記コンタクト領域(5)と前記取り出し電極(12)との間に、前記コンタクト領域(5)と同じ導電型を有し、かつ前記コンタクト領域(5)よりもバンドギャップが小さい中間層(20)が設けられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MIS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329387   出願人：日産自動車株式会社
• 縦型素子用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-319084   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構