特許
J-GLOBAL ID：200903098285376284
多孔質SiC焼結体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299839
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128646
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、実質的にむらが無く大きな粒子から小さな粒子まで連続した粒径を有する原料を用いて、高気孔率でかつ気孔径を制御できるとともに、高純度、高強度、耐クリープ性にも優れた多孔質SiC焼結体を得ようとするものである。【解決手段】原料SiC含有率が97重量%以上、気孔率が22〜37%である多孔質焼結体であって、原料SiC中の微粉を除いた粗粒から微粒の範囲のSiC粒子を、最大粒径より順に2の平方根で除していって区分した場合に、最大粒径より連続した6種の区分の中に全SiC粒子の80〜95重量%を含有し、かつ互いに隣り合う粒径範囲の区分に含まれるSiC粒子の体積比が、大きい粒径範囲の区分に含まれるSiCの合計体積をそのすぐ下の小さい粒径範囲に含まれるSiCの合計体積で除した値で0.4〜3.0となる粒度分布を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
SiC含有率が97重量%以上、気孔率が22〜37%である多孔質焼結体であって、原料SiC中の微粉を除いた粗粒から微粒の範囲のSiC粒子を、最大粒径より順に2の平方根で除していって区分した場合に、最大粒径より連続した6種の粒径範囲の区分の中に全SiC粒子の80〜95重量%を含有し、かつ互いに隣り合う粒径範囲の区分に含まれるSiC粒子の体積比が、大きい粒径範囲の区分に含まれるSiCの合計体積をそのすぐ下の小さい粒径範囲に含まれるSiCの合計体積で除した値で0.4〜3.0となる粒度分布を有することを特徴とする多孔質SiC焼結体。
IPC (2件)：
C04B 35/626
, C04B 38/00 303
C04B 35/56 101 P
, C04B 38/00 303 Z
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BB71
, 4G001BC13
, 4G001BC47
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BD04
, 4G001BD07
, 4G001BE22
, 4G001BE33
, 4G019FA13
