発光素子と外部変調器の集積素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064334
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】安定で、チャ-プの小さい変調器とレ-ザの集積素子を提供する。【構成】半絶縁性InP基板1''の第1の主面上には、GCL50が形成されている。即ち、InP基板1''の第1の主面上には、InGaAsP活性層2、InGaAsP導波路3、2つの位相シフト部を有する2次のストライプ状グレ-ティング10がそれぞれ形成されている。半絶縁性InP基板1''の第2の主面上には、EA変調器60が形成されている。InP基板1''の第2の主面上には、p-InP層7、100層のMQW構造8、n- -InP層9及びn+ -InP層10がそれぞれ形成されている。InP基板1''の第1の主面と第2の主面は、互いに数度だけ傾いている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の主面上に形成され、光の放射方向が前記半導体基板の内部方向である表面発光型の発光素子と、前記半導体基板の第2の主面上に形成され、前記発光素子に対向する領域に配置される1つ以上の外部変調器とを具備することを特徴とする発光素子と外部変調器の集積素子。

IPC (4件)：

H01L 27/15 , G02F 1/015 505 , H01S 3/10 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 27/15 C , G02F 1/015 505 , H01S 3/10 A , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (21件)

特開平1-094689
特開平1-094689
特開平3-150526

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