半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066296
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262489
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電極パターン等の下地パターンの微細加工を可能とし、かつその上面に形成される配線層の断線を防止して、半導体装置の歩留まりの向上を図る。【構成】石英基板1上に1層目の多結晶シリコン層による活性層2を形成し、該活性層2に対してn形の不純物を導入して信号蓄積キャパシタCsの一方の電極6を形成する。その後、活性層2上に熱酸化膜(ゲート絶縁膜)7を介して2層目の多結晶シリコン層を形成し、該多結晶シリコン層をその厚み方向途中まで、等方性エッチングにて選択的に除去する。その後、残りの多結晶シリコン層を異方性エッチングにて選択的に除去して該多結晶シリコン層によるTFTのゲート電極8及び信号蓄積キャパシタCsの他方の電極9を形成する。この場合、各電極8及び9の上部の角部は等方性エッチングのサイドエッチングにより面取りされた形状となる。

請求項（抜粋）：

下地パターンを含む2層以上の積層膜の少なくとも上記下地パターンの角部が面取りされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/3065 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/302 J , H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭61-274361
特開平4-346434
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090631 出願人：三洋電機株式会社

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