特許

J-GLOBAL ID：200903098315985876

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果ヘッドの製造方法

発明者： 與田 博明 ,  大沢 裕一 ,  館山 公一 ,  近藤 玲子 ,  岩崎 仁志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093935
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322718
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【目的】 狭トラックとなっても高い感度を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 第一磁性膜と、実質的に信号磁界に応じて磁化方向が変化する第二磁性膜と、前記第一及び第二磁性膜間に挟持された非磁性膜とを備える磁気抵抗効果膜、及び前記磁気抵抗効果膜に電流を付与する一対の電極とを具備し、前記第一磁性膜の幅が前記一対の電極間距離以下であり、前記非磁性膜あるいは前記第二磁性膜の幅が前記電極間距離より広い磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

第一磁性膜と、実質的に信号磁界に応じて磁化方向が変化する第二磁性膜と、前記第一及び第二磁性膜間に挟持された非磁性膜とを備える磁気抵抗効果膜、及び前記磁気抵抗効果膜に電流を付与する一対の電極とを具備し、前記第一磁性膜の幅が前記一対の電極間距離以下であり、前記非磁性膜あるいは前記第二磁性膜の幅が前記電極間距離より広いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果再生ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065749   出願人：株式会社日立製作所