特許

J-GLOBAL ID：200903098338570860

終端構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 原田 真 ,  藤川 一洋
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-135229
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313787
出願日： 2005年05月06日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】 表面粗さの低い炭化珪素からなる終端構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素半導体装置1は、第1導電型の炭化珪素半導体基板6と、エピタキシャル成長層2と、第2導電型の炭化珪素半導体領域3〜5とを備える。炭化珪素半導体領域3〜5の表面粗さRaは、0.05nm以上1nm以下である。炭化珪素半導体装置1の製造方法は、エピタキシャル成長層2の主表面2bに溝11を形成する工程と、溝11内に選択的に炭化珪素半導体領域3をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域3中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化珪素半導体基板上に積層され、主表面を有し、前記主表面に素子形成領域を有する第1導電型のエピタキシャル成長層と、 前記エピタキシャル成長層の主表面において前記素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第2導電型の炭化珪素半導体領域とを備え、 前記炭化珪素半導体領域の表面粗さRaが0.05nm以上1nm以下である、終端構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/329

FI (4件)：

H01L29/91 D ,  H01L21/205 ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 F

Fターム (7件)：

5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコンカーバイド半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-183785   出願人：新日本無線株式会社