特許

J-GLOBAL ID：200903098344792700

磁気セル及び磁気メモリ

発明者： 中村 志保 ,  羽根田 茂 ,  大沢 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396201
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193595
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】 電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化(M1)方向が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層(C1)と、磁気(M2)方向が前記第1の方向とは反対の第2の方向に実質的に固定された第2の強磁性層(C2)と、前記第1及び第2の強磁性層の間に設けられ、磁化(M)方向が可変の第3の強磁性層(A)と、前記第1及び第3の強磁性層の間に設けられた第1の中間層(B1)と、前記第2及び第3の強磁性層の間に設けられた第2の中間層(B2)と、を備えたことを特徴とする磁気セルを提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁化が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層と、 磁化が前記第1の方向とは反対の第2の方向に実質的に固定された第2の強磁性層と、 前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、 前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第1の中間層と、 前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第2の中間層と、 を備え、 前記第1及び第2の強磁性層の間で電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第3の強磁性層に作用させて前記第3の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気セル。

IPC (4件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピントランスファーを利用する磁性素子及び磁性素子を使用するMRAMデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-526064   出願人：グランディスインコーポレイテッド
• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク