特許
J-GLOBAL ID：200903098352689667
電界放出型電子エミッタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332042
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192604
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 酸化やスパッタリングによるエミッタ先端径の増加やエミッタ先端の溶融破壊を防止した電界放出型電子エミッタ、さらには電子放出効率の向上を図った電界放出型電子エミッタを提供する。【構成】 Si(100)基板1等の基板上に設けられた錐状の例えばSi突起2と、その表面を覆うように設けられ、Si突起2表面と化学的に結合した有機ケイ素化合物および有機ゲルマニウム化合物から選ばれた有機金属化合物膜3とを具備する電界放出型電子エミッタである。あるいは、Si突起の少なくとも先端部表面と化学的に結合した有機ケイ素高分子化合物、有機ゲルマニウム高分子化合物およびフラーレン化合物から選ばれた導電性化合物を具備するものである。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた導体および半導体のいずれかよりなる錐状突起と、前記錐状突起の表面を覆うように設けられ、前記錐状突起表面と化学的に結合した有機ケイ素化合物および有機ゲルマニウム化合物から選ばれた有機金属化合物膜とを具備することを特徴とする電界放出型電子エミッタ。
引用特許：
前のページに戻る
