特許

J-GLOBAL ID：200903098381164530

半導体光素子、送受信モジュールおよび光通信システム

発明者： 直江 和彦 ,  青木 雅博 ,  佐藤 宏 ,  東盛 裕一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145558
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体光素子の実装歩留まりを良好にする。【解決手段】 半導体基板101上に多重量子井戸活性層102を形成し、多重量子井戸活性層102上にリッジ導波路105を形成し、リッジ導波路105の両側にクラッド層701を形成し、クラッド層701のリッジ導波路105の両側部に平坦化層702を形成し、リッジ導波路105の両側壁上、クラッド層701上および平坦化層702上にシリコン酸化膜106を形成し、シリコン酸化膜106上にリッジ導波路105と接続された上部電極107を形成し、上部電極107上にソルダ110を形成し、ストライプ状凸部111の両側に凸形状部703を形成し、凸形状部703の突起面の半導体基板101表面からの距離とストライプ状凸部111の突起面の半導体基板101表面からの距離とをほぼ同等とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数の層が形成され、中央部にストライプ状凸部を有する半導体素子において、上記ストライプ状凸部の両側に凸形状部を形成し、上記凸形状部の突起面の上記半導体基板表面からの距離を上記ストライプ状凸部の突起面の上記半導体基板表面からの距離とほぼ同等としあるいは上記凸形状部の突起面の上記半導体基板表面からの距離を上記ストライプ状凸部の突起面の上記半導体基板表面からの距離よりも大きくしたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 受光IC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-341863   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザーダイオード製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-270057   出願人：サムソンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
• 導波路型光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021474   出願人：株式会社日立製作所