特許

J-GLOBAL ID：200903098383750208

半導体装置のコンタクトオープン検査方法

発明者： 李 相 吉 ,  李 炳 岩 ,  梁 敬 模
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111805
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074813
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ上に形成されるコンタクト部分の不良を早期に検査して調整できる半導体装置のコンタクトオープン検査方法を提供する。【解決手段】 コンタクトの形成工程、すなわち、コンタクトホールを形成するためのフォトレジストの露光及び現像工程S2、コンタクトホールを形成するための絶縁物質層の蝕刻工程S4及びコンタクトを形成するための導電物質層の蝕刻工程S10がそれぞれ実行されたウェーハの表面をインライン走査電子顕微鏡を用いて走査して表示するステップと、走査電子顕微鏡により表示されたコンタクト形成部分のコントラストの差を比較確認して、コンタクト部分の形成状態の良否を検査するステップS20、S22、S24とを備える。【効果】 コンタクトの形成状態が不良の場合におけるフィードバック期間が短縮されるので、効率的な工程管理や生産管理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

ウェーハのコンタクト部分の形成状態の良否を検査するための半導体装置のコンタクトオープン検査方法において、インライン走査電子顕微鏡を用いてコンタクトの形成工程が実行された前記ウェーハの表面を走査して表示するステップと、前記走査電子顕微鏡により表示された前記コンタクト形成部分のコントラストの差を比較確認して、コンタクト部分の形成状態の良否を検査するステップとを備えることを特徴とする半導体装置のコンタクトオープン検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/32

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 1/32 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-049241   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭50-098269