特許

J-GLOBAL ID：200903098385461742

半導体記憶装置

発明者： 枌 靖浩
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161834
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011969
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、シングルポートのSRAMにおいて書き込み動作と読み出し動作を同時に行い得る半導体記憶装置を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、書き込み動作時にメモリセル5を選択する専用のアドレスデコーダ1,2と、読み出し動作時にメモリセル5を選択する専用のアドレスデコーダ3,4と、これらのアドレスデコーダによって書き込み動作時又は書き込み及び読み出し動作時に書き込みデータ線14又は読み出しデータ線11とただ1つ接続されるメモリセル5とを設け、書き込み動作と読み出し動作を同時に行うように構成される。

請求項（抜粋）：

書き込みアドレス信号を受けて、データを書き込むメモリセルの行を選択する書き込みロウ選択信号を出力する書き込みロウアドレスデコーダと、書き込みアドレス信号を受けて、データを書き込むメモリセルの列を選択する書き込みカラム選択信号を出力する書き込みカラムアドレスデコーダと、読み出しアドレス信号を受けて、記憶データを読み出すメモリセルの行を選択する読み出しロウ選択信号を出力する読み出しロウアドレスデコーダと、読み出しアドレス信号を受けて、記憶データを読み出すメモリセルの列を選択する読み出しカラム選択信号を出力する読み出しカラムアドレスデコーダと、記憶データを保持するフリップフロップと、読み出しトランスファゲートと、第1及び第2の書き込みトランスファゲートとを備え、前記読み出しトランスファゲートは前記フリップフロップに保持された記憶データが読み出される読み出しデータ線と前記フリップフロップの出力端子との間に接続され、前記読み出しロウアドレスデコーダから出力される読み出しロウ選択信号により導通制御され、前記第1及び第2の書き込みトランスファゲートは前記フリップフロップに書き込まれるデータが与えられる書き込みデータ線と前記フリップフロップの入力端子との間に縦続接続され、前記第1の書き込みトランスファゲートは前記書き込みロウアドレスデコーダから出力される書き込みロウ選択信号により導通制御され、前記第2の書き込みトランスファゲートは前記書き込みカラムアドレスデコーダから出力される書き込みカラム選択信号により導通制御されてなるメモリセルと、前記書き込みカラムアドレスデコーダから出力される書き込みカラム選択信号に基づいて、書き込みデータを書き込みデータ線に選択的に与える書き込み制御回路と、前記読み出しカラムアドレスデコーダから出力される読み出しカラム選択信号に基づいて、前記読み出しロウアドレスデコーダから出力される読み出しロウ選択信号によって選択された行の前記メモリセルから読み出しデータ線に読み出された記憶データを選択出力する読み出し制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 301 D ,  G11C 11/34 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-263687
  
• 特開平2-187991
  
• 半導体集積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-231616   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-263687
  
• 特開平2-187991