特許
J-GLOBAL ID：200903098398684058
半導体分布ブラッグ反射鏡及びそれを用いた面発光型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114569
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298337
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】少ない層数で高い反射率を有する半導体分布ブラッグ反射鏡を提供することであり、それを反射鏡として利用した面発光型半導体レーザを提供する事である。さらなる課題としては、その面発光型半導体レーザを光源として利用した光インターコネクション等の応用システムを提供すること。【解決手段】GaAs基板1上に有機金属気相成長法により膜厚104nm、引っ張り歪0.3%のIn0.42Ga0.58P層12と膜厚90nm、圧縮歪0.35%のIn0.05Ga0.95As層13を交互に積層した周期構造(13周期)を形成した。【効果】本発明によれば、高反射率で、尚且つ薄い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供できるので、面発光型半導体レーザや面発光型発光ダイオード、あるいは受光素子等の高性能化に効果がある。また、本発明の面発光型半導体レーザは、光インターコネクションなどの応用システムで利用できる。
請求項（抜粋）：
屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡において、高屈折率部分を形成する半導体の少なくとも一部が圧縮歪みを有し、且つ低屈折率部分を形成する半導体の少なくとも一部が引っ張り歪みを有することを特徴とする半導体分布ブラッグ反射鏡。
引用特許：
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