センスアンプ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-150554
公開番号（公開出願番号）：特開2007-323706
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】微小な電流差を高速にセンスするセンスアンプを実現する。【解決手段】本発明の例に関わるセンスアンプは、フリップフロップ接続される第1、第2、第3及び第4のFET M1,M2,M3,M4を有する。第5のFET M7のドレインは、第1の入力ノードI1に接続され、ソースは、電源ノードVddに接続される。第6のFET M8のドレインは、第2の入力ノードI2に接続され、ソースは、電源ノードVddに接続される。センス動作は、第1の入力ノードI1から第1の出力ノードO1を第1の電流Idataにより充電し、かつ、第2の入力ノードI2から第2の出力ノードO2を第2の電流Irefにより充電することにより開始される。第5及び第6のFET M7,M8は、センス動作を開始した後にオンになる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ドレインが第1の出力ノードに接続され、ゲートが第2の出力ノードに接続され、ソースが第1の電源ノードに接続される第1導電型の第1のFETと、ドレインが前記第2の出力ノードに接続され、ゲートが前記第1の出力ノードに接続され、ソースが前記第1の電源ノードに接続される第1導電型の第2のFETと、ドレインが前記第1の出力ノードに接続され、ゲートが前記第2の出力ノードに接続され、ソースが第1の入力ノードに接続される第2導電型の第3のFETと、ドレインが前記第2の出力ノードに接続され、ゲートが前記第1の出力ノードに接続され、ソースが第2の入力ノードに接続される第2導電型の第4のFETと、ドレインが前記第1の入力ノードに接続され、ソースが第2の電源ノードに接続される第2導電型の第5のFETと、ドレインが前記第2の入力ノードに接続され、ソースが前記第2の電源ノードに接続される第2導電型の第6のFETとを具備し、前記センス動作は、前記第1の入力ノードから前記第1の出力ノードを第1の電流により充電又は放電し、かつ、前記第2の入力ノードから前記第2の出力ノードを第2の電流により充電又は放電することにより開始され、前記第5及び第6のFETは、前記センス動作を開始した後にオンになることを特徴とするセンスアンプ。

IPC (4件)：

G11C 11/15 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (3件)：

G11C11/15 150 , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (29件)：

4M119AA05 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119HH05 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092DA07

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5,695,864号明細書
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-093387 出願人：株式会社半導体理工学研究センター
米国特許第4,843,264号明細書

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