特許

J-GLOBAL ID：200903098415969355

半導体発光装置

発明者： 河田 敏也 ,  小河 晴樹
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313179
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169992
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 活性層内全体に均一に電流を広げ、外部への光の取り出し効率を向上させることにより、黄色,緑色等の短波長領域でも高輝度の発光が可能な半導体発光装置を実現する。【構成】 n-GaAs基板11上に、InGaAlP からなるn型クラッド層12、活性層13、p型クラッド層14を順次形成し、このp型クラッド層14の上にp 型InAlP からなる第2の電流拡散層15を形成し、この第2の電流拡散層15の上にp型GaAlAsからなる第1の電流拡散層16を形成し、この第1の電流拡散層16の上の一部にコンタクト層17とp側電極18を形成し、基板11の裏面側にn側電極19を形成している。そして、第1の電流拡散層16と第2の電流拡散層15との間のヘテロ障壁が第1の電流拡散層16とp型クラッド層14との間のヘテロ障壁よりも大きいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性層を導電型の異なる第1および第2のクラッド層で挟んだダブルへテロ構造部と、前記活性層に対して前記第1のクラッド層側に形成した第1の電流拡散層とを備えた半導体発光装置であって、前記第1の電流拡散層の層中、または前記第1の電流拡散層と前記第1のクラッド層との層間に、前記第1の電流拡散層との間のヘテロ障壁が、前記第1の電流拡散層と前記第1のクラッド層との間のヘテロ障壁よりも大きい第2の電流拡散層を設けたことを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-229665
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065769   出願人：株式会社東芝