半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017874
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】十分のエネルギーによりレーザを照射してヒューズを確実に切断した際にヒューズ下の絶縁膜が破壊しても、正常な論理出力が得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】N型のシリコン基板1の主面に設けられた絶縁膜4と、絶縁膜4上に設けられたレーザトリミング用の多結晶シリコン構成のヒューズ5と、第1のPウェル領域2と、第1のPウェル領域2内に形成されたN型の素子領域12,13と、第1のPウェル領域2と同じ深さを有してヒューズ5下のシリコン基板の箇所に第2のPウェル領域3と、第2のPウェル領域3を接地電位に固定する手段9,32とを有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の主面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたレーザトリミング用の多結晶シリコン構成のヒューズと、前記主面より基板内部に形成された、第1導電型とは逆の導電型の第2導電型の第1のウェル領域と、前記第1のウェル領域内に形成された第1導電型の素子領域と、前記第1のウェル領域と同じ深さを有して前記ヒューズ下の半導体基板の箇所に前記主面より基板内部に形成された第2導電型の第2のウェル領域と、前記第2のウェル領域を前記第1導電型の半導体基板の電位とは異なるウェル電位に固定する手段とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/10 431

FI (3件)：

H01L 21/82 F , H01L 27/10 431 , H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-063148
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-004960 出願人：富士通株式会社

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