特許

J-GLOBAL ID：200903098438201004

金属配線形成方法

発明者： 飯島 光輝
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192057
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037235
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 高アスペクト比のコンタクト用孔の内部にスパッタ法で確実に金属配線を形成する。【構成】 Al-Si-Cu配線9a上に形成された層間絶縁膜11にビアコンタクト10を開孔した後、Al-Si-Cuとの濡れ性がよいTiN膜12をスパッタリングにより形成する。しかる後、TiN膜12をエッチバックし、側壁11a上にのみTiN膜12を残存させる。次に、Al-Si-Cu薄膜14をスパッタリングにより形成した後、高速熱処理(RTA)を行って、溶融したAl-Si-CuをTiN膜12に沿ってビアコンタクト10内に流し込む。

請求項（抜粋）：

下地導電層の上に形成された絶縁膜に、前記下地導電層にまで達するコンタクト用孔を形成する工程と、前記コンタクト用孔の内面及び前記絶縁膜上の全面に導電性膜を形成する工程と、前記コンタクト用孔の側面上にのみ前記導電性膜が残るように、前記導電性膜を異方性エッチングする工程と、前記コンタクト用孔の部分を含む全面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜をパターニングして金属配線を形成する工程とを備えることを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-356943
  
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206120   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-356943