特許
J-GLOBAL ID:200903098461652080

積層型バンドパスフィルタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸山 幸雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-056648
公開番号(公開出願番号):特開2004-266697
出願日: 2003年03月04日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】共振器の電極形状を変えずに共振器間の結合を変えることができ、BPFの通過帯域や減衰極周波数を容易に変えることができる積層型バンドパスフィルタを提供する。【解決手段】磁界結合を調整するため、共振器電極層14とは別の層16に、両端側がGNDに短絡されたコの字型形状の磁界結合電極27を共振器電極24,25と対向する位置に設け、また、共振器電極層14とは別の層である電界結合電極層15に共振器電極24,25の開放端側に対向する位置に電界結合電極26を設ける。そして、磁界結合電極27の寸法や電界結合電極26の寸法、およびそれらと共振器電極24,25の積層方向の位置関係を調整することにより、磁界結合と電界結合を別々に共振器の電極を変更することなく容易に調整できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1のアース電極と第2のアース電極の間に少なくとも誘電体または磁性体からなる複数の絶縁層を有し、それらの絶縁層の第1の層に一端が開放され他端が短絡された第1の共振器電極と一端が開放され他端が短絡された第2の共振器電極とが近接して形成された積層型バンドパスフィルタであって、 前記絶縁層のうち前記第1の層とは異なる第2の層に前記第1の共振器電極と第2の共振器電極の前記短絡端に対向する位置に形成された磁界結合電極と、 前記絶縁層のうち前記第1の層および第2の層とは異なる第3の層に前記第1の共振器電極と第2の共振器電極の前記開放端に対向する位置に形成された電界結合電極とを備えることを特徴とする積層型バンドパスフィルタ。
IPC (2件):
H01P1/203 ,  H01P1/205
FI (4件):
H01P1/203 ,  H01P1/205 B ,  H01P1/205 D ,  H01P1/205 K
Fターム (8件):
5J006HB05 ,  5J006HB17 ,  5J006JA01 ,  5J006JA13 ,  5J006LA03 ,  5J006NA04 ,  5J006NB07 ,  5J006NC03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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